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MCPF04N60	文件：535.83 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：535.83 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
MCPF04N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETS	MCC 美微科	MCC
MCU04N60	文件：467.46 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：467.46 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
MHF04N60CT	文件：1.33955 Mbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel Power MOSFET 文件：1.33955 Mbytes 页数：10 Pages	CITC 竹懋科技	CITC
MHU04N60	文件：987.45 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel Power MOSFET 文件：987.45 Kbytes 页数：10 Pages	CITC 竹懋科技	CITC

技术参数

Polarity：
N-Channel
Drain-Source Voltage VDS (V)：
600
Gate-Source Voltage VGS(V)：
±30
Drain Current IDMAX (A)：
4.0
Drain-Source On Resistance MAX(Ω)：
2.0
Input Capacitance CISSMAX (pF)：
540
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Min：
2.0
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Max：
4.0
Package Qty：
Bulk;4Kpcs/Box
FIT：
30; Tj=100℃

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更多MCPF04N60供应商更新时间2025-10-11 15:01:00

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