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MCP6V86	文件：2.53108 Mbytes Page：52 Pages	5 MHz, 0.5 mA, Zero-Drift Op Amps Features • High DC Precision: - VOS Drift: ±150 nV/°C - VOS: ±25 μV (maximum) - AOL: 111 dB (minimum, VDD = 5.5V) - PSRR: 110 dB (minimum, VDD = 5.5V) - CMRR: 112 dB (minimum, VDD = 5.5V) - Eni: 0.28 μVP-P (typical), f = 0.1 Hz to 10 Hz - Eni: 0.1 μVP-P (typical), f = 0.01 Hz to 1 Hz • En 文件：2.53108 Mbytes 页数：52 Pages	Microchip 微芯科技	Microchip
MCP6V86	文件：300 bytes Page：1 Pages	5 MHz, 0.5 mA, Zero-Drift Op Amps The MCP6V86/6U/7/9 family of operational amplifiers provides input offset voltage correction for very low offset and offset drift. These devices provide a gain bandwidth product of 5 MHz, are unity gain stable, have no 1/f noise, and provide superior CMRR and PSRR performance. These products operate • Zero-Drift architecture\n• Maximum offset of only 25 uV\n• Maximum offset drift of 150 nV/C\n• No 1/f noise\n• GBWP of 5 MHz\n• Enhanced EMI rejection\n• Small SC70 and SOT-23 packaging;	Microchip 微芯科技	Microchip
MCP6V866U	文件：2.53108 Mbytes Page：52 Pages	5 MHz, 0.5 mA, Zero-Drift Op Amps Features • High DC Precision: - VOS Drift: ±150 nV/°C - VOS: ±25 μV (maximum) - AOL: 111 dB (minimum, VDD = 5.5V) - PSRR: 110 dB (minimum, VDD = 5.5V) - CMRR: 112 dB (minimum, VDD = 5.5V) - Eni: 0.28 μVP-P (typical), f = 0.1 Hz to 10 Hz - Eni: 0.1 μVP-P (typical), f = 0.01 Hz to 1 Hz • En 文件：2.53108 Mbytes 页数：52 Pages	Microchip 微芯科技	Microchip
MCP6V867	文件：2.53108 Mbytes Page：52 Pages	5 MHz, 0.5 mA, Zero-Drift Op Amps Features • High DC Precision: - VOS Drift: ±150 nV/°C - VOS: ±25 μV (maximum) - AOL: 111 dB (minimum, VDD = 5.5V) - PSRR: 110 dB (minimum, VDD = 5.5V) - CMRR: 112 dB (minimum, VDD = 5.5V) - Eni: 0.28 μVP-P (typical), f = 0.1 Hz to 10 Hz - Eni: 0.1 μVP-P (typical), f = 0.01 Hz to 1 Hz • En 文件：2.53108 Mbytes 页数：52 Pages	Microchip 微芯科技	Microchip
MCP6V869	文件：2.53108 Mbytes Page：52 Pages	5 MHz, 0.5 mA, Zero-Drift Op Amps Features • High DC Precision: - VOS Drift: ±150 nV/°C - VOS: ±25 μV (maximum) - AOL: 111 dB (minimum, VDD = 5.5V) - PSRR: 110 dB (minimum, VDD = 5.5V) - CMRR: 112 dB (minimum, VDD = 5.5V) - Eni: 0.28 μVP-P (typical), f = 0.1 Hz to 10 Hz - Eni: 0.1 μVP-P (typical), f = 0.01 Hz to 1 Hz • En 文件：2.53108 Mbytes 页数：52 Pages	Microchip 微芯科技	Microchip
MCP6V86T-E/OT	文件：2.53108 Mbytes Page：52 Pages	5 MHz, 0.5 mA, Zero-Drift Op Amps Features • High DC Precision: - VOS Drift: ±150 nV/°C - VOS: ±25 μV (maximum) - AOL: 111 dB (minimum, VDD = 5.5V) - PSRR: 110 dB (minimum, VDD = 5.5V) - CMRR: 112 dB (minimum, VDD = 5.5V) - Eni: 0.28 μVP-P (typical), f = 0.1 Hz to 10 Hz - Eni: 0.1 μVP-P (typical), f = 0.01 Hz to 1 Hz • En 文件：2.53108 Mbytes 页数：52 Pages	Microchip 微芯科技	Microchip
MCP6V86T-ESLASHOT	文件：2.53108 Mbytes Page：52 Pages	5 MHz, 0.5 mA, Zero-Drift Op Amps Features • High DC Precision: - VOS Drift: ±150 nV/°C - VOS: ±25 μV (maximum) - AOL: 111 dB (minimum, VDD = 5.5V) - PSRR: 110 dB (minimum, VDD = 5.5V) - CMRR: 112 dB (minimum, VDD = 5.5V) - Eni: 0.28 μVP-P (typical), f = 0.1 Hz to 10 Hz - Eni: 0.1 μVP-P (typical), f = 0.01 Hz to 1 Hz • En 文件：2.53108 Mbytes 页数：52 Pages	Microchip 微芯科技	Microchip
MCP6V86U	文件：2.53108 Mbytes Page：52 Pages	5 MHz, 0.5 mA, Zero-Drift Op Amps Features • High DC Precision: - VOS Drift: ±150 nV/°C - VOS: ±25 μV (maximum) - AOL: 111 dB (minimum, VDD = 5.5V) - PSRR: 110 dB (minimum, VDD = 5.5V) - CMRR: 112 dB (minimum, VDD = 5.5V) - Eni: 0.28 μVP-P (typical), f = 0.1 Hz to 10 Hz - Eni: 0.1 μVP-P (typical), f = 0.01 Hz to 1 Hz • En 文件：2.53108 Mbytes 页数：52 Pages	Microchip 微芯科技	Microchip
MCP6V86UT-E/LTY	文件：2.53108 Mbytes Page：52 Pages	5 MHz, 0.5 mA, Zero-Drift Op Amps Features • High DC Precision: - VOS Drift: ±150 nV/°C - VOS: ±25 μV (maximum) - AOL: 111 dB (minimum, VDD = 5.5V) - PSRR: 110 dB (minimum, VDD = 5.5V) - CMRR: 112 dB (minimum, VDD = 5.5V) - Eni: 0.28 μVP-P (typical), f = 0.1 Hz to 10 Hz - Eni: 0.1 μVP-P (typical), f = 0.01 Hz to 1 Hz • En 文件：2.53108 Mbytes 页数：52 Pages	Microchip 微芯科技	Microchip
MCP6V86UT-E/OT	文件：2.53108 Mbytes Page：52 Pages	5 MHz, 0.5 mA, Zero-Drift Op Amps Features • High DC Precision: - VOS Drift: ±150 nV/°C - VOS: ±25 μV (maximum) - AOL: 111 dB (minimum, VDD = 5.5V) - PSRR: 110 dB (minimum, VDD = 5.5V) - CMRR: 112 dB (minimum, VDD = 5.5V) - Eni: 0.28 μVP-P (typical), f = 0.1 Hz to 10 Hz - Eni: 0.1 μVP-P (typical), f = 0.01 Hz to 1 Hz • En 文件：2.53108 Mbytes 页数：52 Pages	Microchip 微芯科技	Microchip

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技术参数

GBWP (kHz)：
5000
Slew Rate (V/µs)：
4
Vos Max (µV)：
25
Vos Drift Typical (µV/°C)：
0.15
Supply Voltage Min (V)：
2.2
Supply Voltage Max (V)：
5.5
Iq Typical (µA)：
500
Iq Max (µA)：
770
Input Voltage Noise Density (nV/rt(Hz))：
13
Ib Typical (pA)：
2
PSRR Min (dB)：
110
CMRR Min (dB)：
112
Aol (dB)：
111
PM (deg)：
60
Isc (mA)：
40
Rail-to-Rail：
In/Out
Unity Gain Stable：
Yes
Enhanced EMI Rejection：
Yes
Operating Temperature Range (°C)：
-40 to +125
Packages：
5\\SOT-23
Pricing：
0.9100
Status：
In Production

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更多MCP6V86供应商更新时间2025-11-30 16:30:00

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