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NTE6411	文件：18.72 Kbytes Page：2 Pages	BilateralTriggerDiodes(DIACS) Description: TheNTE6407thruNTE6412arebilateraltriggerDIACsofferingarangeofvoltagecharacteristicsfrom28Vto63V.Thesedevicesaretriggeredfromablocking–to–conductionstateforeitherpolarityofappliedvoltagewhenevertheamplitudeofappliedvoltageexceedsthebreakoverv	NTE NTE Electronics	NTE
NTP6411AN	文件：145.63 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET100V,72A,14m廓	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP6411AN	文件：148.4 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP6411ANG	文件：145.63 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET100V,72A,14m廓	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP6411ANG	文件：148.4 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVB6411AN	文件：148.4 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NX6411GH	文件：190.57 Kbytes Page：7 Pages	1490nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.	CEL California Eastern Labs	CEL
NX6411GH	文件：177.82 Kbytes Page：8 Pages	LASERDIODE1490nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODEFOR2.5Gb/sFTTHPONAPPLICATION DESCRIPTION TheNX6411GHisa1490nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD. FEATURES •OpticaloutputpowerPo=14.0mW •Lowthresholdcurrentlth=10mA •Differentialefficiencyηd=0.3W/A •Wideoperatingtemperatu	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX6411GH-AZ	文件：190.57 Kbytes Page：7 Pages	1490nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.	CEL California Eastern Labs	CEL
PCI6411	文件：860.3 Kbytes Page：204 Pages	DUAL/SINGLESOCKETCARDBUSANDULTRAMEDIACONTROLLER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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