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MCP55H12	文件：476.66 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：476.66 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
MCP55H12	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETS	MCC 美微科	MCC
NCE55H12	文件：409.62 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：409.62 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
SSA55H12J	文件：274.7 Kbytes Page：3 Pages	N-Ch Enhancement Elektronische Bauelemente Mode Power MOSFET 文件：274.7 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS

技术参数

Polarity：
N-Channel
Drain-Source Voltage VDS (V)：
55
Gate-Source Voltage VGS(V)：
±20
Drain Current IDMAX (A)：
120
Drain-Source On Resistance MAX(Ω)：
0.0055
Input Capacitance CISSMAX (pF)：
4900
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Min：
2.0
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Max：
4.0
Package Qty：
Tube
FIT：
30; Tj=100℃

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更多MCP55H12供应商更新时间2025-10-12 15:14:00

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