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MMBT3906	文件：58.14 Kbytes Page：4 Pages	SMALLSIGNALPNPTRANSISTOR SMALLSIGNALPNPTRANSISTOR ■SILICONEPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR ■MINIATURESOT-23PLASTICPACKAGEFORSURFACEMOUNTINGCIRCUITS ■TAPEANDREELPACKING ■THENPNCOMPLEMENTARYTYPEISMMBT3904 APPLICATIONS ■WELLSUITABLEFORPORTABLEEQUIPMENT ■SMALLLOADSWITCHTRANSISTORWITH	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MMBT3906	文件：107.29 Kbytes Page：5 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORNPNSILICON GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Leadfreeproduct	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
MMBT3906	文件：48.48 Kbytes Page：8 Pages	PNPswitchingtransistor DESCRIPTION PNPswitchingtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplement:MMBT3904. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •Telephonyandprofessionalcommunicationequipment.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
MMBT3906	文件：49.83 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT3906	文件：110.16 Kbytes Page：7 Pages	PNPSiliconSwitchingTransistor PNPSiliconSwitchingTransistors •HighDCcurrentgain:0.1mAto100mA •Lowcollector-emittersaturationvoltage •ForSMBT3906SandSMBT3906U: Two(galvanic)internalisolatedtransistor withgoodmatchinginonepackage •Complementarytypes: SMBT3904...MMBT3904(NPN) •SMB	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
MMBT3906	文件：96.48 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Capableof300mWattsofPowerDissipation •Marking:2A	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT3906	文件：136.29 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALTRANSISTORS(PNP) FEATURES ♦PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications. ♦Ascomplementarytype,theNPN transistorMMBT3904isrecommended. ♦ThistransistorisalsoavailableintheTO-92casewith thetypedesignation2N3906.	GE GE Industrial Company	GE
MMBT3906	文件：60.44 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •ComplementaryNPNType:MMBT3904 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHig	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT3906	文件：123.82 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor(PNP) PNPSiliconType Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable(MMBT3904) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
MMBT3906	文件：98.63 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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