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MDP1403	文件：120.56 Kbytes Page：5 Pages	ThickFilmResistorNetworks,Dual-In-Line,MoldedDIP	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
ME1403D	文件：1.05714 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MGF1403B	文件：317.99 Kbytes Page：5 Pages	LOWNOISEGaAsFET?	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MGF1403B	文件：166.1 Kbytes Page：4 Pages	LOWNOISEGaAsFET? DESCRIPTION TheMGF1403Bisalow-noiseGaAsFETwithanN-channelSchottkygate,whichisdesignedforuseinStoKubandamplifiersandoscillators.Thehermeticallysealedmetal-ceramicpackageassuresminimumparasiticlosses,andhasaconfigurationsuitableformicrostripcircuits. FEATUR	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi

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产品属性

产品编号：
MCP1403-E/P
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
低端
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 18V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
4.5A，4.5A
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
15ns，18ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
8-PDIP
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP

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