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MGFC1403	文件：232.12 Kbytes Page：6 Pages	FORMICROWAVELOW-NOISEAMPLIFIERS,N-CHANNELSCHOTTKYBARRIERGATETYPE FORMICROWAVELOW-NOISEAMPLIFIERS,N-CHANNELSCHOTTKYBARRIERGATETYPE	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MMBD1403	文件：39.13 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageGeneralPurposeDiode HighVoltageGeneralPurposeDiode SourcedfromProcess1H.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBD1403	文件：96.67 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTSWITCHINGDIODES Case:SOT-23MoldedPlastic OperatingTemperature:-65°Cto150°C	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
MMBD1403	文件：57.47 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalDiodes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBD1403A	文件：63.02 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageGeneralPurposeDiode Descriptions Sourcedfromprocess2V.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MS1403	文件：91.31 Kbytes Page：3 Pages	RFANDMICROWAVETRANSISTORSVHFPORTABLE/MOBILEAPPLICATIONS DESCRIPTION: TheMS1403isa7.5VepitaxialsiliconNPNplanartransistordesignedprimarilyforVHFcommunications.ItwithstandsveryhighVSWRunderratedoperatingconditions. Features •175MHz •7.5Volts •CommonEmitter •POUT=1.4WMin. •GP=7.0dBGain	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
MS1403	文件：176.21 Kbytes Page：4 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORS DESCRIPTION TheMS1403isa7.5VepitaxialsiliconNPNplanartransistordesignedprimarilyforVHFcommunications.ItwithstandsveryhighVSWRunderratedoperatingconditions. KEYFEATURES ◾175MHz ◾7.5Volts ◾CommonEmitter ◾POUT=1.4WMin. ◾GP=7.0dBGain APPLICATIONS/BENEFI	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MT1403	文件：181.65 Kbytes Page：5 Pages	ROUNDLEDLAMP	Marktech Marktech Corporate	Marktech
MT1403-RG	文件：38.05 Kbytes Page：1 Pages	MarktechStandard5mmTinted&ColoredDiff.LEDs Features Choiceoflenscolor Lowdrivecurrent Canbepackagedontapeinareelorinabox Excellenton/offcontrasts	Marktech Marktech Corporate	Marktech
MT1403-RG-A	文件：117.54 Kbytes Page：3 Pages	StandardLEDs	Marktech Marktech Corporate	Marktech

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产品属性

产品编号：
MCP1403-E/P
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
低端
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 18V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
4.5A，4.5A
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
15ns，18ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
8-PDIP
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP

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