选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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MICROCHIP(美国微芯)SOP-16-300mil |
940 |
23+ |
深耕行业12年,可提供技术支持。 |
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深圳市英特法电子科技有限公司11年
留言
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MICROCHIP/微芯SOIC |
26719 |
23+ |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
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深圳市正纳电子有限公司7年
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MicrochipSOIC-16 |
235 |
21+ |
保证原装正品 深圳现货 |
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深圳市英瑞芯科技有限公司2年
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MICROCHIP/微芯SOIC |
7800 |
22+ |
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深圳市新力诚科技有限公司9年
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MICROCHIPSOP16 |
12216 |
2020+ |
公司主营品牌,全新原装现货超低价! |
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深圳市保之丰科技有限公司2年
留言
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MICROCHIP/微芯SOIC |
26719 |
2020+ |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
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Microchip16-SOIC |
11923 |
23+ |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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MICROCHIP/微芯SOIC |
26719 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
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MICROCHIPSOP16 |
3325 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市大联智电子有限公司2年
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Microchip Technology16-SOIC(0.295,7.50mm 宽) |
6680 |
2022+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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MICROCHIP/微芯SOIC |
53615 |
2122+ |
中国分销商,保证进口原装,现货特价供应 |
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深圳市冠亿通科技有限公司5年
留言
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Microc |
25000 |
21+ |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
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深圳市辰德隆电子科技有限公司9年
留言
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MICROCHIP/微芯SOIC |
6000 |
23+ |
中国代理商保证进口原装现货特价供应 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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MICROCHIPSOP16 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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MICROCHIP/微芯SOIC |
2500 |
22+ |
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深圳市华芯源电子有限公司5年
留言
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MICROCHIP/微芯SOP16 |
15888 |
22+ |
专营厂家量大可定货 |
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艾睿国际(香港)有限公司2年
留言
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MICROCHIP(美国微芯)SOIC-16 |
31500 |
2112+ |
47个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司3年
留言
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MICROCHIP/微芯SOIC |
98000 |
23+ |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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MICROCHIPSOP16 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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MICROCHIP/微芯SOIC |
90000 |
23+ |
渠道可追溯 可开增值税 正规报关 绝不损原包装 |
MCP1403-E/SO采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
MCP1403-E/SO图片
MCP1403-E/SO价格
MCP1403-E/SO价格:¥9.9168品牌:Microchip
生产厂家品牌为Microchip的MCP1403-E/SO多少钱,想知道MCP1403-E/SO价格是多少?参考价:¥9.9168。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,MCP1403-E/SO批发价格及采购报价,MCP1403-E/SO销售排行榜及行情走势,MCP1403-E/SO报价。
MCP1403-E/SO中文资料Alldatasheet PDF
更多MCP1403-E/SO功能描述:功率驱动器IC 4.5A Dual MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
MCP1403-E/SO
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
卷带(TR)
- 驱动配置:
低端
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
4.5V ~ 18V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,2.4V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
4.5A,4.5A
- 输入类型:
反相
- 上升/下降时间(典型值):
15ns,18ns
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:
16-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC