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MCMG66

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:817.24 Kbytes 页数:6 Pages

MCC

MCMG66

MOSFETS

MCC

美微科

MCO100-12IO1

标准封装

艾赛斯 IXYS

MCO100-16IO1

标准封装

艾赛斯 IXYS

MCO150-12IO1

标准封装

艾赛斯 IXYS

技术参数

  • Polarity:

     P-Channel

  • Drain-Source Voltage VDS (V):

     -16

  • Gate-Source Voltage VGS(V):

     ±8.0

  • Drain Current IDMAX (A):

     -5.8

  • Drain-Source On Resistance MAX(Ω):

     0.045

  • Input Capacitance CISSMAX (pF):

     740

  • Gate Threshold Voltage VGS(th)-Min:

     -0.45

  • Gate Threshold Voltage VGS(th)-Max:

     -1.0

  • Package Qty:

     Tape&Reel

  • FIT:

     30; Tj=100℃

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MCC/美微科
25+
DFN20206G
19600
一站式BOM配单
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NK/南科功率
2025+
DFN2020-6G
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MCC/美微科
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更多MCMG66供应商 更新时间2026-1-21 15:01:00