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MMBD352	文件：48.01 Kbytes Page：2 Pages	DualSchottkyBarrierDiode ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra–fastswitchingcircuits. •VeryLowCapacitance—LessThan1.0pF@ZeroVolts •LowForwardVoltage—0.5Volts(Typ)@IF=10mA	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBD352	文件：41.41 Kbytes Page：4 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@ZeroV •LowForwardVoltage−0.5V(Typ)@IF=10mA •P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD352	文件：84.98 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTHIGHFREQUENCYSCHOTTKYDIODE	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBD352	文件：133.89 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTHIGHFREQUENCYSCHOTTKYDIODE	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBD352	文件：229.52 Kbytes Page：3 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MMBD352	文件：237.46 Kbytes Page：2 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes Features Verylowcapacitance—Lessthan1.0pF@zeroV. Lowforwardvoltage—IF=10mA. PowerdissipationPd=300mW Pb/RoHSFree Applications DesignedprimarilyforUHFmixerapplications.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMBD352	文件：53.32 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE VeryLowCapacitance LowForwardVoltage PNJunctionGuardRingforTransientand ESDProtection ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
MMBD352W	文件：89.41 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTHIGHFREQUENCYSCHOTTKYDIODE FEATURES •LowCapacitance,MinimizingInsertionLossesinVHFApplications •LowVF:0.5V(Typ)atIF=10mA •ExtremelyFastSwitchingSpeed •Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBD352W	文件：208.21 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MMBD352W	文件：146.8 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

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详细参数

型号：
MCL-SS352
制造商：
SEMTECH_ELEC
制造商全称：
SEMTECH ELECTRONICS LTD.
功能描述：
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MCLSY100ELT23LZGTR	RECEIVERPECLDUALSOIC8	24+		850		询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	MCLT1-1	MCL	1937+	SOP6	9852	只做进口原装正品现货!或订货假一赔十!	询价
深圳市赛美科科技有限公司	MCLT1-1	Mini-Circ		NA	8560	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	MCLT1-1	MINI-CIRCUITS	25+	NA	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	MCL-T4-1	MCL	23+	SOP6	13000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市向鸿伟业电子有限公司	MCL-T4-1	MCL	2403+	SOP6	11809	原装现货!欢迎随时咨询!	询价
深圳市振宏微科技有限公司	MCLV2R2M2AB	Multicomp	23+	NA	5487	专做原装正品,假一罚百!	询价
深圳市宏世佳电子科技有限公司	MC-LVKIT	NEC	2025+	开发套件	612	全新原厂原装产品、公司现货销售	询价
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深圳市英卓尔科技有限公司	MCLW-29KGX2883	ATMEL	20+	MQFP160	500	样品可出,优势库存欢迎实单	询价

更多MCL-SS352供应商更新时间2025-6-7 15:30:00

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