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MCH6660	文件：769.08 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Dual Power MOSFET Features • ON-resistance Nch : RDS(on)1=105mΩ(typ.) Pch : RDS(on)1=205mΩ(typ.) • 1.8V Drive • ESD Diode - Protected Gate • Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance • Ultrasmall Package MCPH6(2.0mm×2.1mm×0.85mmt) • Nch MOSFET and Pch MOSFET are put in MCP 文件：769.08 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH6660	文件：484.18 Kbytes Page：6 Pages	General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance Nch : RDS(on)1=105mΩ(typ.) Pch : RDS(on)1=205mΩ(typ.) • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：484.18 Kbytes 页数：6 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH6660	文件：300 bytes Page：1 Pages	互补双路功率 MOSFET 20V MCH6660 is a Power MOSFET, 20V, 136mΩ, 2A, -20V, 266mΩ, -1.5A, Complementary Dual for General-Purpose Switching Device Applications. • ON-resistanceN-Channel: RDS(on)1 = 105 mΩ (typ.)P-Channel RDS(on)1 = 205 mΩ (typ.)\n• 1.8V drive\n• N-Channel MOSFET and P-Channel MOSFET are put in MCPH6 Package\n• Ultrasmall Package MCPH6 (2.0mm×2.1mm×0.85mmt)\n• Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH6660-TL-H	文件：769.08 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Dual Power MOSFET Features • ON-resistance Nch : RDS(on)1=105mΩ(typ.) Pch : RDS(on)1=205mΩ(typ.) • 1.8V Drive • ESD Diode - Protected Gate • Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance • Ultrasmall Package MCPH6(2.0mm×2.1mm×0.85mmt) • Nch MOSFET and Pch MOSFET are put in MCP 文件：769.08 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH6660-TL-W	文件：769.08 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Dual Power MOSFET Features • ON-resistance Nch : RDS(on)1=105mΩ(typ.) Pch : RDS(on)1=205mΩ(typ.) • 1.8V Drive • ESD Diode - Protected Gate • Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance • Ultrasmall Package MCPH6(2.0mm×2.1mm×0.85mmt) • Nch MOSFET and Pch MOSFET are put in MCP 文件：769.08 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH6660_12	文件：601.7 Kbytes Page：9 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：601.7 Kbytes 页数：9 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH6660-TL-H	文件：601.7 Kbytes Page：9 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：601.7 Kbytes 页数：9 Pages	SANYO 三洋	SANYO

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
Complementary
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
±20
VGS Max (V)：
10
VGS(th) Max (V)：
1.3
ID Max (A)：
2
PD Max (W)：
0.8
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
205
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
136
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
1.8
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
1.7
Ciss Typ (pF)：
128
Package Type：
SC-88FL/MCPH-6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	MCH6660	ON/安森美	20+	SOT-363	120000	原装正品可含税交易	询价
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更多MCH6660供应商更新时间2025-12-11 10:02:00

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