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MCH6421	文件：58.39 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. •Ultrahigh-speed switching. •1.8V drive. 文件：58.39 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH6421	文件：498.4 Kbytes Page：5 Pages	Single N-Channel Power MOSFET 文件：498.4 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH6421	文件：499.96 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：499.96 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH6421	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single N-Channel Power MOSFET, 20V, 5.5A, 38mΩ This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements. • Low On-Resistance\n• Improves Efficiency by Reducing Conduction Losses, Reduces Heat Dissipation\n• High-Speed Switching\n• Reduce Dynamic Power Losses\n• 1.8V drive\n• Drive at Low Voltage\n• ESD Diode-Protected Gate\n• ESD Resistance\n• Ultra small Package MCPH6 (2.0mm×2.1mm×0.85mmt)\n• Saves Bo;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH6421_12	文件：499.96 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：499.96 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH6421-TL-E	文件：498.4 Kbytes Page：5 Pages	Single N-Channel Power MOSFET 文件：498.4 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH6421-TL-W	文件：498.4 Kbytes Page：5 Pages	Single N-Channel Power MOSFET 文件：498.4 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
20
VGS Max (V)：
12
VGS(th) Max (V)：
1.3
ID Max (A)：
5.5
PD Max (W)：
1.5
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
61
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
38
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
7.5
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
5.1
Ciss Typ (pF)：
410
Package Type：
SC-88FL/MCPH-6

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更多MCH6421供应商更新时间2025-10-7 14:00:00

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