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MCH3476	文件：382.05 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features •1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：382.05 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH3476	文件：493.49 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：493.49 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH3476	文件：541.76 Kbytes Page：5 Pages	Single N-Channel Power MOSFET 文件：541.76 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH3476	文件：797.66 Kbytes Page：4 Pages	丝印：FH；Package：SOT-323；N-Channel MOSFET 文件：797.66 Kbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
MCH3476	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，20V，2A，125mΩ MCH3476 is a Power MOSFET, 20V, 125mΩ, 2A, Single N-Channel for General-Purpose switching device applications. • 1.8V Drive\n• Drive at Low Voltage\n• Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance\n• Environmental Consideration\n• ESD Diode-Protected Gate\n• ESD Resistance\n• Low On-Resistance :RDS(on) = 125 mΩ (max) at VGS = 4.5 V, ID = 1 A\n• Improves Efficiency by Reducing Conduction Losses, Reduces Heat Diss;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH3476_12	文件：493.49 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：493.49 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH3476-TL-H	文件：541.76 Kbytes Page：5 Pages	Single N-Channel Power MOSFET 文件：541.76 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH3476-TL-W	文件：541.76 Kbytes Page：5 Pages	Single N-Channel Power MOSFET 文件：541.76 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
20
VGS Max (V)：
12
VGS(th) Max (V)：
1.3
ID Max (A)：
2
PD Max (W)：
0.8
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
190
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
125
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
2.8
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
1.8
Ciss Typ (pF)：
128
Package Type：
SC-70FL/MCPH-3

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更多MCH3476供应商更新时间2025-12-1 14:01:00

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