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MAX3377EEUD	文件：533.91 Kbytes Page：25 Pages	짹15kVESD-Protected,1關A,16Mbps,Dual/QuadLow-VoltageLevelTranslatorsinUCSP GeneralDescription TheMAX3372E–MAX3379EandMAX3390E–MAX3393E±15kVESD-protectedleveltranslatorsprovidethelevel shiftingnecessarytoallowdatatransferinamultivoltagesystem.Externallyappliedvoltages,VCCandVL,setthe logiclevelsoneithersideofthedevice.Alow-voltage	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
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MCH3377	文件：60.62 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH3377	文件：763.25 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH3377	文件：207.77 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH3377-TL-E	文件：763.25 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH3377-TL-H	文件：763.25 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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RF3377	文件：114.51 Kbytes Page：8 Pages	GENERALPURPOSEAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD

详细参数

型号：
MCH3377-S-TL-E
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MCH3377-S-TL-E供应商更新时间2024-6-3 16:51:00

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