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3377	文件：100.33 Kbytes Page：1 Pages	Heyco짰NylonCableClamps	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AH3377	文件：838.69 Kbytes Page：15 Pages	HIGHVOLTAGELOWSENSITIVITYHALLEFFECTUNIPOLARSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AH3377	文件：827.91 Kbytes Page：15 Pages	HIGHVOLTAGELOWSENSITIVITYHALLEFFECTUNIPOLARSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AH3377-P-A	文件：827.91 Kbytes Page：15 Pages	HIGHVOLTAGELOWSENSITIVITYHALLEFFECTUNIPOLARSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AH3377-P-A	文件：838.69 Kbytes Page：15 Pages	HIGHVOLTAGELOWSENSITIVITYHALLEFFECTUNIPOLARSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AH3377-P-B	文件：838.69 Kbytes Page：15 Pages	HIGHVOLTAGELOWSENSITIVITYHALLEFFECTUNIPOLARSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AH3377-P-B	文件：827.91 Kbytes Page：15 Pages	HIGHVOLTAGELOWSENSITIVITYHALLEFFECTUNIPOLARSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
C3377	文件：120.84 Kbytes Page：1 Pages	2SC2673 FTR•FTL Lowprofileflat-packageforlimitedspeceapplications. Tapetypecanbeusedonautomatedline.Bulktypeisalsoavailable.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
CHU3377	文件：183.78 Kbytes Page：6 Pages	W-bandMultifunction:Multiplier/MPA	UMSUnited Monolithic Semiconductors United Monolithic Semiconductors	UMS
CHU3377	文件：125.49 Kbytes Page：4 Pages	W-bandMultifunction:Multiplier/MPA	UMSUnited Monolithic Semiconductors United Monolithic Semiconductors	UMS
INN3377C	文件：3.90753 Mbytes Page：58 Pages	DigitallyControllableOff-LineCV/CCQRFlybackSwitcherICwithIntegratedHigh-VoltageSwitch,SynchronousRectificationandFluxLinkFeedback DigitallyControlledviaI2CInterface •Dynamicadjustmentofpowersupplyvoltageandcurrent •Telemetryforpowersupplystatusandfaultmonitoring •Comprehensivesetofconfigurableprotectionfeatures •PowiGaN™technology–upto100Wwithoutheatsinks(INN3378C, INN3379CandINN337	POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司	POWERINT
K3377	文件：960.75 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
K3377	文件：42.07 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3377isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •LowOn-stateResistance RDS(on)1=44mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=78mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=10A) •LowCiss:Ciss=760pFTY	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
K3377	文件：46.19 Kbytes Page：1 Pages	MOSFieldEffectTransistor Features •Lowon-resistance RDS(on)1=44mMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=78mMAX.(VGS=4.0V,ID=10A) •LowCiss:Ciss=760pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
K3377	文件：130.15 Kbytes Page：1 Pages	Lowon-resistance	TYSEMITaiwan TY Semiconductor Co. , Ltd. 台湾TY半导体台湾TY半导体有限公司	TYSEMI
MAX3377EEBC+T	文件：490.06 Kbytes Page：31 Pages	±15kVESD-Protected,1μA,16Mbps,Dual/QuadLow-VoltageLevelTranslatorsinUCSP	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX3377EEBCT	文件：357.68 Kbytes Page：26 Pages	±15kVESD-Protected,1uA,16Mbps,DualQuadLow-VoltageLevelTranslatorsinUCSP	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX3377EEBCT	文件：357.68 Kbytes Page：26 Pages	±15kVESD-Protected,1uA,16Mbps,DualQuadLow-VoltageLevelTranslatorsinUCSP	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX3377EEBC-T	文件：533.91 Kbytes Page：25 Pages	짹15kVESD-Protected,1關A,16Mbps,Dual/QuadLow-VoltageLevelTranslatorsinUCSP GeneralDescription TheMAX3372E–MAX3379EandMAX3390E–MAX3393E±15kVESD-protectedleveltranslatorsprovidethelevel shiftingnecessarytoallowdatatransferinamultivoltagesystem.Externallyappliedvoltages,VCCandVL,setthe logiclevelsoneithersideofthedevice.Alow-voltage	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
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详细参数

型号：
MCH3377-S-TL-E
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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