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MCH3376	文件：735.85 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET 文件：735.85 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH3376	文件：282.36 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications 文件：282.36 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH3376	文件：487.04 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：487.04 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH3376	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 P 沟道，功率 MOSFET，-20V，-1.5A，241mΩ MCH3376 is a Power MOSFET, -20V, 241mΩ, -1.5A, Single P-Channel for General-Purpose Switching Device Application. • Low ON-resistance\n• 1.8V drive\n• ESD diode-Protected gate\n• High speed switching and Low loss;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH3376-TP	文件：1.82032 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET Application « Load/Power Switching «Interfacing Switching * Logic Level Shift 文件：1.82032 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
MCH3376_12	文件：487.04 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：487.04 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH3376-TL-E	文件：735.85 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET 文件：735.85 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH3376-TL-W	文件：735.85 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET 文件：735.85 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-20
VGS Max (V)：
10
VGS(th) Max (V)：
2.6
ID Max (A)：
-1.5
PD Max (W)：
0.8
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
385
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
241
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
1.7
Ciss Typ (pF)：
120
Package Type：
SC-70FL/MCPH-3

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