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MCH3375	文件：385.94 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：385.94 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH3375	文件：446.81 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET 文件：446.81 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH3375	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 P 沟道，功率 MOSFET，-30 V，295 mΩ，-1.6 A MCH3375 is a Power MOSFET, -30V, 295mΩ, -1.6A, Single P-Channel for General-Purpose Switching Device Application. • High speed switching and Low loss\n• Realize high efficiency of applications\n• Ultrasmall package MCPH3 (2.1mm x 2.0mm x 0.85mmt)\n• Small and slim applied set\n• Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance\n• Environmental consideration\n• 4V drive\n• On-Resistance RDS(on)1 = 227 mΩ (typ.);	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH3375_12	文件：494.6 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：494.6 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH3375-TL-H	文件：494.6 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：494.6 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH3375-TL-H	文件：446.81 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET 文件：446.81 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH3375-TL-W	文件：446.81 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET 文件：446.81 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH3375-TL-W-Z	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET P-CH 30V 1.6A SC-70FL	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.6
ID Max (A)：
-1.6
PD Max (W)：
0.8
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
523
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
295
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
4.6
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
2.2
Ciss Typ (pF)：
82
Package Type：
SC-70FL/MCPH-3

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更多MCH3375供应商更新时间2025-12-10 10:20:00

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