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MCH3374	文件：486.72 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET 文件：486.72 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH3374	文件：55.09 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications 文件：55.09 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH3374	文件：193.35 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：193.35 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH3374	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 P 沟道，功率 MOSFET，-12V，-3A，70mΩ This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology,which is specifically designed to minimize gate charge and low on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements. • Low ON-resistance\n• Improves Efficiency by Reducing Conduction Losses, Reduces Heat Dissipation\n• High-Spees Switching\n• Reduce dynamic power losses\n• 1.8V drive\n• Drive at Low Voltage\n• Pb-Free, RoHS compliance\n• Environmental Consideration\n• Halogen Free compliance : MCH3374-TL-W\n• Envi;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH3374_12	文件：193.35 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：193.35 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH3374-TL-E	文件：486.72 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET 文件：486.72 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH3374-TL-W	文件：486.72 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET 文件：486.72 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-12
VGS Max (V)：
8
VGS(th) Max (V)：
1.4
ID Max (A)：
-3
PD Max (W)：
1
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
115
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
70
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
1.7
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
5.6
Ciss Typ (pF)：
405
Package Type：
SC-70FL/MCPH-3

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