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MCH3143	文件：44.83 Kbytes Page：5 Pages	PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications DC / DC Converter Applications Features • Adoption of MBIT processes. • High current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • Ultrasmall package permitting applied sets to be small and slim (mounting height : 0.85mm). • High allowable power dis 文件：44.83 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH3144	文件：365.99 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Transistor -30V, -2A, Low VCE(sat), PNP Single MCPH3 Bipolar Transistor –30V, –2A, Low VCE(sat), PNP Single MCPH3 Features • Adoption of MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package permitting applied sets to be small and slim (mounting height : 0.85mm) • 文件：365.99 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH3144	文件：44.47 Kbytes Page：4 Pages	PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications DC / DC Converter Applications Applications • Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash. Features • Adoption of MBIT processes. • High current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • Ultrasmall package permitting applied sets to be smal 文件：44.47 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH3144-TL-E	文件：365.99 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Transistor -30V, -2A, Low VCE(sat), PNP Single MCPH3 Bipolar Transistor –30V, –2A, Low VCE(sat), PNP Single MCPH3 Features • Adoption of MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package permitting applied sets to be small and slim (mounting height : 0.85mm) • 文件：365.99 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH3145	文件：436.91 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single MCPH3 Features • Adoption of MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package permitting applied sets to be small and slim (mounting height : 0.85mm) • High allowable power dissipation Applicaitons • Relay drivers 文件：436.91 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH3145	文件：48.52 Kbytes Page：5 Pages	PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications DC / DC Converter Applications Features • Adoption of MBIT processes. • High current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • Ultrasmall package permitting applied sets to be small and slim (mounting height : 0.85mm). • High allowable power dissi 文件：48.52 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH3145-TL-E	文件：436.91 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single MCPH3 Features • Adoption of MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package permitting applied sets to be small and slim (mounting height : 0.85mm) • High allowable power dissipation Applicaitons • Relay drivers 文件：436.91 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH3106	文件：37.81 Kbytes Page：4 Pages	DC / DC Converter Applications 文件：37.81 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH3106_04	文件：37.81 Kbytes Page：4 Pages	DC / DC Converter Applications 文件：37.81 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH3109	文件：49.41 Kbytes Page：5 Pages	DC / DC Converter Applications 文件：49.41 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO

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技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.2
IC Cont. (A)：
3
VCEO Min (V)：
50
VCBO (V)：
80
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.88
hFE Min：
200
hFE Max：
560
fT Min (MHz)：
360
PTM Max (W)：
0.8
Package Type：
SC-70FL/MCPH-3

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