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NTLJD3115PTAG	文件：88.37 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTLJD3115PTAG	文件：159.39 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NUP3115UPMU	文件：132.95 Kbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NUP3115UPMU	文件：157.17 Kbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NUP3115UPMUTAG	文件：132.95 Kbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NUP3115UPMUTAG	文件：157.17 Kbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
OL-3115	文件：177.09 Kbytes Page：2 Pages	T-1Sub-MidgetFlanged	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
OM3115N	文件：36.63 Kbytes Page：8 Pages	Hybridintegratedcircuitsforinductiveproximitydetectors DESCRIPTION TheOM3105Pisahybridintegratedcircuitintendedforinductiveproximitydetectorsinatubularconstruction,especiallytheM5hollowstud.Thecircuitperformsamakefunction(version1):whenactuated,thecurrentflowsthroughtheload,whichcanbeforexampleaLEDorano	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
OM3115P	文件：36.63 Kbytes Page：8 Pages	Hybridintegratedcircuitsforinductiveproximitydetectors DESCRIPTION TheOM3105Pisahybridintegratedcircuitintendedforinductiveproximitydetectorsinatubularconstruction,especiallytheM5hollowstud.Thecircuitperformsamakefunction(version1):whenactuated,thecurrentflowsthroughtheload,whichcanbeforexampleaLEDorano	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PAM3115	文件：537.76 Kbytes Page：16 Pages	1.5ALowVoltage-LowDropoutCMOSRegulator	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM

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