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MCB150N06YB	文件：682.92 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：682.92 Kbytes 页数：6 Pages	MCC	MCC
MCB150N06YB	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETS	MCC 美微科	MCC
NVT150N06C	文件：917.86 Kbytes Page：8 Pages	Silicon 60V N-Channel MOSFET 文件：917.86 Kbytes 页数：8 Pages	NIUHANG 纽航电子	NIUHANG
P150N06DA	文件：979.2 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：979.2 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RSD150N06	文件：1.17328 Mbytes Page：7 Pages	4V Drive Nch MOSFET 文件：1.17328 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Polarity：
N-Channel
Drain-Source Voltage VDS (V)：
60
Gate-Source Voltage VGS(V)：
±20
Drain Current IDMAX (A)：
150
Drain-Source On Resistance MAX(Ω)：
0.0055
Input Capacitance CISSMAX (pF)：
3800
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Min：
2.0
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Max：
4.0
Package Qty：
Tape&Reel
FIT：
30; Tj=100℃

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