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MC74VHCT541A	文件：159.87 Kbytes Page：6 Pages	Octal Bus Buffer The MC74VHCT541A is an advanced high speed CMOS octal bus buffer fabricated with silicon gate CMOS technology. It achieves high speed operation similar to equivalent Bipolar Schottky TTL while maintaining CMOS low power dissipation. Features • High Speed: tPD = 5.4 ns (Typ) at VCC = 5.0 V • Low 文件：159.87 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC74VHCT541A	文件：159.87 Kbytes Page：6 Pages	Octal Bus Buffer The MC74VHCT541A is an advanced high speed CMOS octal bus buffer fabricated with silicon gate CMOS technology. It achieves high speed operation similar to equivalent Bipolar Schottky TTL while maintaining CMOS low power dissipation. • High Speed: tPD = 5.4ns (Typ) at VCC = 5V • Low Power Dissipa 文件：159.87 Kbytes 页数：6 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MC74VHCT541A	文件：104.29 Kbytes Page：6 Pages	Octal Bus Buffer 文件：104.29 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC74VHCT541ADT	文件：159.87 Kbytes Page：6 Pages	Octal Bus Buffer The MC74VHCT541A is an advanced high speed CMOS octal bus buffer fabricated with silicon gate CMOS technology. It achieves high speed operation similar to equivalent Bipolar Schottky TTL while maintaining CMOS low power dissipation. Features • High Speed: tPD = 5.4 ns (Typ) at VCC = 5.0 V • Low 文件：159.87 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC74VHCT541ADW	文件：159.87 Kbytes Page：6 Pages	Octal Bus Buffer The MC74VHCT541A is an advanced high speed CMOS octal bus buffer fabricated with silicon gate CMOS technology. It achieves high speed operation similar to equivalent Bipolar Schottky TTL while maintaining CMOS low power dissipation. Features • High Speed: tPD = 5.4 ns (Typ) at VCC = 5.0 V • Low 文件：159.87 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC74VHCT541AM	文件：159.87 Kbytes Page：6 Pages	Octal Bus Buffer The MC74VHCT541A is an advanced high speed CMOS octal bus buffer fabricated with silicon gate CMOS technology. It achieves high speed operation similar to equivalent Bipolar Schottky TTL while maintaining CMOS low power dissipation. Features • High Speed: tPD = 5.4 ns (Typ) at VCC = 5.0 V • Low 文件：159.87 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC74VHCT541A_06	文件：104.29 Kbytes Page：6 Pages	Octal Bus Buffer 文件：104.29 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC74VHCT541A_11	文件：145.22 Kbytes Page：7 Pages	Octal Bus Buffer 文件：145.22 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC74VHCT541A_14	文件：110.92 Kbytes Page：7 Pages	Octal Bus Buffer 文件：110.92 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC74VHCT541ADT	文件：104.29 Kbytes Page：6 Pages	Octal Bus Buffer 文件：104.29 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channels：
8
Output：
3-State
VCC Min (V)：
4.5
VCC Max (V)：
5.5
tpd Max (ns)：
7.9
IO Max (mA)：
8
Package Type：
SOIC-20W

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更多MC74VHCT541A供应商更新时间2025-10-10 15:07:00

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