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MI3470	文件：475.09 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MS3470	文件：60.01 Kbytes Page：1 Pages	MilitaryStandardConnectorIndex MilitaryStandardConnectorIndex	GLENAIR Glenair, Inc.	GLENAIR
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NJM3470A	文件：163.07 Kbytes Page：3 Pages	FDDREADAMPLIFIERSYSTEM	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NJM3470AD	文件：163.07 Kbytes Page：3 Pages	FDDREADAMPLIFIERSYSTEM	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NJM3470D	文件：163.07 Kbytes Page：3 Pages	FDDREADAMPLIFIERSYSTEM	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NR3470MU-CC	文件：213.66 Kbytes Page：10 Pages	RECEIVER InGaAsPIN-PDRECEIVERWITHSINGLEMODEFIBER INTERNALPREAMPLIFIERFOR10Gb/sAPPLICATIONS DESCRIPTION TheNR3470MU-CCisa10Gb/sInGaAsPINphotodiode(PIN-PD)receiverina17-pinmini-butterflypackage withaninternalpreamplifier.ThismoduleisidealasareceiverforSONETOC-192	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NR3470MU-CC	文件：190.85 Kbytes Page：4 Pages	NECsInGaAsPINPDMODULEWITHINTERNALPREAMPLIFIERFOR10Gb/sAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
NTE3470	文件：27.06 Kbytes Page：4 Pages	IntegratedCircuitFloppyDiskReadAmplifierSystem Description: TheNTE3470isamonolithicREADAmplifierSystemforobtainingdigitalinformationfromfloppydiskstorage.ItisdesignedtoacceptthedifferentialACsignalproducedbythemagneticheadandproduceadigitaloutputpulsethatcorrespondstoeachpeakoftheinputsignal.Thega	NTE NTE Electronics	NTE
ONCELLG3470A-LTE-EU	文件：840.06 Kbytes Page：5 Pages	IndustrialLTEcellulargateways	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa

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