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MC33201DG	文件：215.96 Kbytes Page：17 Pages	Low Voltage, Rail-to-Rail Operational Amplifiers 文件：215.96 Kbytes 页数：17 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC33201DG	文件：258.67 Kbytes Page：17 Pages	Low Voltage, Rail-to-Rail Operational Amplifiers 文件：258.67 Kbytes 页数：17 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC33201DR2	文件：264.65 Kbytes Page：19 Pages	Low Voltage, Rail?뭪o?뭃ail Operational Amplifiers 文件：264.65 Kbytes 页数：19 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC33201DR2G	文件：264.65 Kbytes Page：19 Pages	Low Voltage, Rail?뭪o?뭃ail Operational Amplifiers 文件：264.65 Kbytes 页数：19 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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MC33201DR2G	文件：258.67 Kbytes Page：17 Pages	Low Voltage, Rail-to-Rail Operational Amplifiers 文件：258.67 Kbytes 页数：17 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Rail to Rail：
Input/Output
Channels：
1
VS Min (V)：
1.8
VS Max (V)：
12
Iq Typ (mA)：
0.9
VOS Max (mV)：
6
GBW Typ (MHz)：
2.2
SR Typ (V/µs)：
1
IO Typ (mA)：
80
ΔVOS/ΔT (μV/C)：
2
eN (nV/√Hz)：
20
Ibias Typ (pA)：
80000
CMRR Typ (dB)：
90
Architecture：
Bipolar
Temperature Range (°C)：
-40 to 85
Package Type：
SOIC-8

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