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MC33179DR2	文件：278.57 Kbytes Page：19 Pages	Low Power, Low Noise Operational Amplifiers 文件：278.57 Kbytes 页数：19 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC33179DR2G	文件：278.57 Kbytes Page：19 Pages	Low Power, Low Noise Operational Amplifiers 文件：278.57 Kbytes 页数：19 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC33179DR2G	文件：283.8 Kbytes Page：19 Pages	Low Power, Low Noise Operational Amplifiers 文件：283.8 Kbytes 页数：19 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC33179DTBR2G	文件：283.8 Kbytes Page：19 Pages	Low Power, Low Noise Operational Amplifiers 文件：283.8 Kbytes 页数：19 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC33179DTBR2G	文件：278.57 Kbytes Page：19 Pages	Low Power, Low Noise Operational Amplifiers 文件：278.57 Kbytes 页数：19 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC33179P	文件：278.57 Kbytes Page：19 Pages	Low Power, Low Noise Operational Amplifiers 文件：278.57 Kbytes 页数：19 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC33179P	文件：283.8 Kbytes Page：19 Pages	Low Power, Low Noise Operational Amplifiers 文件：283.8 Kbytes 页数：19 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Rail to Rail：
No
Channels：
4
VS Min (V)：
4
VS Max (V)：
36
Iq Typ (mA)：
0.425
VOS Max (mV)：
3
GBW Typ (MHz)：
5
SR Typ (V/µs)：
2
IO Typ (mA)：
80
ΔVOS/ΔT (μV/C)：
2
eN (nV/√Hz)：
7.5
Ibias Typ (pA)：
100000
CMRR Typ (dB)：
110
Architecture：
Bipolar
Temperature Range (°C)：
-40 to 85
Package Type：
SOIC-14

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