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MC33178DMR2G	文件：278.57 Kbytes Page：19 Pages	Low Power, Low Noise Operational Amplifiers 文件：278.57 Kbytes 页数：19 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC33178DR2	文件：278.57 Kbytes Page：19 Pages	Low Power, Low Noise Operational Amplifiers 文件：278.57 Kbytes 页数：19 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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MC33178DR2G	文件：283.8 Kbytes Page：19 Pages	Low Power, Low Noise Operational Amplifiers 文件：283.8 Kbytes 页数：19 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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MC33178G-D08-T	文件：151.83 Kbytes Page：6 Pages	HIGH OUTPUT CURRENT LOW NOISE, LOW POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：151.83 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
MC33178G-S08-R	文件：151.83 Kbytes Page：6 Pages	HIGH OUTPUT CURRENT LOW NOISE, LOW POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：151.83 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
MC33178G-S08-R	文件：148.02 Kbytes Page：6 Pages	LOW POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：148.02 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Rail to Rail：
No
Channels：
2
VS Min (V)：
4
VS Max (V)：
36
Iq Typ (mA)：
0.425
VOS Max (mV)：
3
GBW Typ (MHz)：
5
SR Typ (V/µs)：
2
IO Typ (mA)：
80
ΔVOS/ΔT (μV/C)：
2
eN (nV/√Hz)：
7.5
Ibias Typ (pA)：
100000
CMRR Typ (dB)：
110
Architecture：
Bipolar
Temperature Range (°C)：
-40 to 85
Package Type：
Micro8™

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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