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SFT1458	文件：371.82 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SFT1458-H	文件：371.82 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SFT1458-TL-H	文件：371.82 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TA1458A	文件：481.21 Kbytes Page：7 Pages	SAWFilter954.5MHz	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TA1458A	文件：238.38 Kbytes Page：6 Pages	SAWFilter954.50MHz	GOLLEDGE Golledge Electronics Ltd	GOLLEDGE
TZ1458A	文件：345.65 Kbytes Page：7 Pages	SMD2.5x2.026.0MHzCrystalUnit Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount2.5mmx2.0mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TZ1458C	文件：137.64 Kbytes Page：8 Pages	CrystalUnitSMD2.5x2.026.0MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount2.5mmx2.0mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UPA1458	文件：51.78 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTORARRAYLOWSPEEDSWITCHINGUSEDARLINGTONTRANSISTORINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1458isNPNsiliconepitaxialDarlingtonPowerTransistorArraythatbuiltinSurgeAbsorberand4circuitsdesignedfordrivingsolenoid,relay,lampandsoon. FEATURES •SurgeAbsorber(C-B)builtin. •Easymountby0.1inchofterminalinterval. •HighhFEforDarlin	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1458	文件：209.54 Kbytes Page：8 Pages	SILICONTRANSISTORARRAY NPNSILICONPOWERTRANSISTORARRAY LOWSPEEDSWITCHINGUSE(DARLINGTONTRANSISTOR) INDUSTRIALUSE FEATURES •SurgeAbsorber(C-B)builtin. •Easymountby0.1inchofterminalinterval. •HighhFEforDarlingtonTransistor.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1458H	文件：51.78 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTORARRAYLOWSPEEDSWITCHINGUSEDARLINGTONTRANSISTORINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1458isNPNsiliconepitaxialDarlingtonPowerTransistorArraythatbuiltinSurgeAbsorberand4circuitsdesignedfordrivingsolenoid,relay,lampandsoon. FEATURES •SurgeAbsorber(C-B)builtin. •Easymountby0.1inchofterminalinterval. •HighhFEforDarlin	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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