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MC14077B	文件：126.28 Kbytes Page：7 Pages	CMOS SSI Quad Exclusive ?쏰R??and ?쏯OR??Gates 文件：126.28 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14077BCP	文件：157.65 Kbytes Page：6 Pages	CMOS SSI The MC14070B quad exclusive OR gate and the MC14077B quad exclusive NOR gate are constructed with MOS P−channel and N−channel enhancement mode devices in a single monolithic structure. These complementary MOS logic gates find primary use where low power dissipation and/or high noise immunity is de 文件：157.65 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14077BCPG	文件：157.65 Kbytes Page：6 Pages	CMOS SSI The MC14070B quad exclusive OR gate and the MC14077B quad exclusive NOR gate are constructed with MOS P−channel and N−channel enhancement mode devices in a single monolithic structure. These complementary MOS logic gates find primary use where low power dissipation and/or high noise immunity is de 文件：157.65 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14077BD	文件：157.65 Kbytes Page：6 Pages	CMOS SSI The MC14070B quad exclusive OR gate and the MC14077B quad exclusive NOR gate are constructed with MOS P−channel and N−channel enhancement mode devices in a single monolithic structure. These complementary MOS logic gates find primary use where low power dissipation and/or high noise immunity is de 文件：157.65 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14077BDR2	文件：157.65 Kbytes Page：6 Pages	CMOS SSI The MC14070B quad exclusive OR gate and the MC14077B quad exclusive NOR gate are constructed with MOS P−channel and N−channel enhancement mode devices in a single monolithic structure. These complementary MOS logic gates find primary use where low power dissipation and/or high noise immunity is de 文件：157.65 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14077BDR2G	文件：157.65 Kbytes Page：6 Pages	CMOS SSI The MC14070B quad exclusive OR gate and the MC14077B quad exclusive NOR gate are constructed with MOS P−channel and N−channel enhancement mode devices in a single monolithic structure. These complementary MOS logic gates find primary use where low power dissipation and/or high noise immunity is de 文件：157.65 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14077BFEL	文件：157.65 Kbytes Page：6 Pages	CMOS SSI The MC14070B quad exclusive OR gate and the MC14077B quad exclusive NOR gate are constructed with MOS P−channel and N−channel enhancement mode devices in a single monolithic structure. These complementary MOS logic gates find primary use where low power dissipation and/or high noise immunity is de 文件：157.65 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14077BCP	文件：134.01 Kbytes Page：7 Pages	CMOS SSI Quad Exclusive OR and NOR Gates 文件：134.01 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14077BCPG	文件：134.01 Kbytes Page：7 Pages	CMOS SSI Quad Exclusive OR and NOR Gates 文件：134.01 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14077BCPG	文件：126.28 Kbytes Page：7 Pages	CMOS SSI Quad Exclusive ?쏰R??and ?쏯OR??Gates 文件：126.28 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Type：
XNOR
Channels：
4
VCC Min (V)：
3
VCC Max (V)：
18
tpd Max (ns)：
150
IO Max (mA)：
null
Package Type：
SOIC-14

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MC14077B供应商更新时间2025-12-12 11:28:00

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