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MC03HD10

分立式半导体 肖特基势垒二极管(SBD)

Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers between semiconductor materials and metal electrodes, e.g., Schottky barrier. They have lower forward voltage (VF) characteristics and shorter reverse recovery time (trr) than typical PN junction diodes, making ・Trench Schottky Barrier Diode\n・Low forward voltage drop\n・High frequency operation;

Kyocera

京瓷

MC100

QFP

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市昂芯微科技有限公司

MC1003-000-103

MC100E416FN

PLCC28

ON

MC100EP31DR2

SOP8

ON

技术参数

  • VRRM [V]:

    100V

  • Io [A]:

    3.0A

  • IFSM [A]:

    60.0A

  • IR [mA]:

    0.100mA

  • VFM [V]:

    0.85V

  • @IFM [A]:

    3.0A

  • 工作温度范围:

    -55℃ ~ 150℃

  • Rth(j-c) [°C/W]:

    8 (j-l)°C/W

  • Connection type:

    A

  • 质量:

    0.130g

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更多MC03HD10供应商 更新时间2026-3-15 13:24:00