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MMBT3906	文件：432.71 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT3906	文件：109.59 Kbytes Page：4 Pages	PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VoltsPOWER225mWatts FEATURES •PNPepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=-40V •CollectorcurrentIC=-200mA •BothnormalandPbfreeproductareavailable: Normal:80~95Sn,5~20Pb Pbfree:98.5Snabove	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT3906	文件：303.26 Kbytes Page：3 Pages	30.3WattsPNPPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES -Epitaxialplanardieconstruction -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeans greencompound(halogen-free)	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MMBT3906	文件：100.01 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreel	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
MMBT3906	文件：279.99 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailable(MMBT3904). ●CollectorCurrentCapabilityICM=-200mA. ●LowVoltage(Max:-40V). APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT3906	文件：234.11 Kbytes Page：4 Pages	SMDGeneralPurposeTransistor(PNP) Features •PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorfor SwitchingandAmplifierApplications •RoHScompliance	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
MMBT3906	文件：337.8 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconGeneralPurposeTransistor PNPSiliconGeneralPurposeTransistor forswitchingandamplifierapplications. AscomplementarytypestheNPNtransistors MMBT3904isrecommended.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBT3906	文件：888.02 Kbytes Page：13 Pages	HighDCcurrentgain:0.1mAto100mALowcollector-emittersaturationvoltage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
MMBT3906	文件：90.95 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT3906	文件：180.13 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Ascomplementarytype,theNPNtransistor MMBT3904isRecommended ●Epitaxialplanardieconstruction	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. 大亚电器集团大亚电器集团有限公司	DAYA

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