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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
MBRTA500100R | Schottky Rectifiers | Navitas 纳微半导体 | Navitas | |
MBRTA500100R | Silicon Power Schottky Diode 文件：398.47 Kbytes 页数：3 Pages | GENESIC | GENESIC | |
MBRTA500100R | Package：三塔；包装：散装 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 100V 250A 3TOWER | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | |
HEAVY THREE TOWER MODULES STANDARD RECTIFIER 文件：467.67 Kbytes 页数：2 Pages | AMERICASEMI | AMERICASEMI | ||
HEAVY THREE TOWER MODULES STANDARD RECTIFIER 文件：467.67 Kbytes 页数：2 Pages | AMERICASEMI | AMERICASEMI | ||
1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION The NE8500199 Power GaAs FET covers 2 GHz to 10 GHz frequency range for commercial amplifier, oscillator applications and so on. NE8500100 is the two-cells recessed gate chip used in ‘99’ package. The device incorporates Ti-Al gate and silicon dioxide glassivation. To reduce the the 文件：41.14 Kbytes 页数：6 Pages | NEC 瑞萨 | NEC |
产品属性
- 产品编号：
MBRTA500100R
- 制造商：
GeneSiC Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 包装：
散装
- 二极管配置：
1 对共阳极
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
250A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
三塔
- 供应商器件封装：
三塔
- 描述：
DIODE SCHOTTKY 100V 250A 3TOWER
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GeneSiC Semiconductor |
22+ |
Three Tower |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
GeneSiC Semiconductor |
25+ |
三塔 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
GeneSiC |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 |
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