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MBRS410L	文件：182.03 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol 文件：182.03 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS410LT3G	文件：182.03 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol 文件：182.03 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS410L_16	文件：67.89 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：67.89 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS410LT3	文件：43.75 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：43.75 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS410LT3	文件：60.23 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：60.23 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS410LT3_05	文件：60.23 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：60.23 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS410LT3G	文件：60.23 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：60.23 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS410LT3G	文件：67.89 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：67.89 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS410LT3	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基功率整流器，表面贴装，4.0 A，10 V This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity • Ultra Low VF\n• 1st in the Market Place with a 10 VR Schottky Rectifier\n• Small Compact Surface Mountable Package with J–Bend Leads\n• Rectangular Package for Automated Handling\n• Highly Stable Oxide Passivated Junction\n• Very Low Forward Voltage Drop\n• Excellent Ability to Withstand Reverse A;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS410LT3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AB，SMC；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 10V 4A SMC	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Configuration：
Single
VRRM Min (V)：
10
VF Max (V)：
0.33
IRM Max (µA)：
5000
IO(rec) Max (A)：
4
IFSM Max (A)：
150
Package Type：
SMC-2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市联世界科技有限公司	MBRS410LT3G	ON	24+/25+		2100	原装正品现货库存价优	询价
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更多MBRS410L供应商更新时间2025-12-8 14:31:00

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