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MBRS3200	文件：628.45 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BA R RIER RECTIFIER Features The plastic package carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 For surface mounted applications Metal silicon junction,majority carrier conduction Low power loss,high efficiency Built-in strain relief,ideal for automated placement High forward surge current c 文件：628.45 Kbytes 页数：3 Pages	SY 顺烨电子	SY
MBRS3200	文件：300 bytes Page：1 Pages	Schottky Barrier Rectifiers	EIC 灿阳	EIC
MBRS3200	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基二极管	First 福斯特	First
MBRS3200	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基二极体	Sunmate 森美特	Sunmate
MBRS3200T3G	文件：185.06 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol 文件：185.06 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS3200T3	文件：52.77 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：52.77 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS3200T3D	文件：52.77 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：52.77 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS3200T3G	文件：52.77 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：52.77 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS3200T3G	文件：96.88 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：96.88 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS3200T3G	文件：102.5 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：102.5 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Configuration：
Single
VRRM Min (V)：
200
VF Max (V)：
0.84
IRM Max (µA)：
1000
IO(rec) Max (A)：
3
IFSM Max (A)：
100
Package Type：
SMB-2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MBRS3200供应商更新时间2026-1-23 16:50:00

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