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MBRS140LT3	文件：99.14 Kbytes Page：8 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 1.0 AMPERE − 40 VOLTS This device employs the Schottky Barrier principle in a metal−to−silicon power rectifier. Features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies; fre 文件：99.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS140LT3	文件：69.54 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 1.0 AMPERE − 40 VOLTS This device employs the Schottky Barrier principle in a metal−to−silicon power rectifier. Features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies; fre 文件：69.54 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS140LT3	文件：139.81 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier(SMB Power Mount Power Package) . . . employing the Schottky Barrier principle in a metal–to–silicon power rectifier. Features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies; free wheeling diodes and polarity protection diodes. • C 文件：139.81 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MBRS140LT3	文件：64.2 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：64.2 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS140LT3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SMB Power Surface Mount Package . . . employing the Schottky Barrier principle in a metal–to–silicon power rectifier. Features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies; free wheeling diodes and polarity protection diodes.• Compa	恩XP	恩XP
MBRS140LT3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AA，SMB；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMB	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS140LT3G	文件：69.54 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 1.0 AMPERE − 40 VOLTS This device employs the Schottky Barrier principle in a metal−to−silicon power rectifier. Features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies; fre 文件：69.54 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS140LT3_07	文件：64.2 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：64.2 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS140LT3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AA，SMB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMB	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MBRS140LT3
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AA，SMB
供应商器件封装：
SMB
工作温度 - 结：
-55°C ~ 125°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MBRS140LT3	ON(安森美)	24+	标准封装	7083	全新原装正品/价格优惠/质量保障	询价
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更多MBRS140LT3供应商更新时间2025-12-1 10:28:00

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