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MBRS120T3	文件：48.41 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier Surface Mount Schottky Power Rectifier This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectif 文件：48.41 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS120T3G	文件：48.41 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier Surface Mount Schottky Power Rectifier This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectif 文件：48.41 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS120T3G	文件：135.32 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier Surface Mount Schottky Power Rectifier This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectif 文件：135.32 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS120T3G	文件：262.13 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol 文件：262.13 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS120T3G_V01	文件：262.13 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol 文件：262.13 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS120TR	文件：42.63 Kbytes Page：6 Pages	SCHOTTKY RECTIFIER 1 Amp Description/Features The MBRS120 surface-mount Schottky rectifier has been designed for applications requiring low forward drop and small foot prints on PC boards. Typical applications are in disk drives, switching power supplies, converters, free-wheeling diodes, battery charging, and reverse ba 文件：42.63 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
MBRS1200	文件：77.54 Kbytes Page：2 Pages	1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE 文件：77.54 Kbytes 页数：2 Pages	ZSELEC 淄博圣诺	ZSELEC
MBRS120-FL	文件：502.79 Kbytes Page：2 Pages	Low power loss,high efficiency 文件：502.79 Kbytes 页数：2 Pages	GXELECTRONICS 星合电子	GXELECTRONICS
MBRS120TRPBF	文件：91.69 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Rectifier, 1.0 A 文件：91.69 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
MBRS120TRPBF	文件：105.13 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Rectifier, 1.0 A 文件：105.13 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Configuration：
Single
VRRM Min (V)：
20
VF Max (V)：
0.6
IRM Max (µA)：
1000
IO(rec) Max (A)：
1
IFSM Max (A)：
40
Package Type：
SMB-2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MBRS120供应商更新时间2025-12-10 15:07:00

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