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MBRM110ET3G

Surface Mount Schottky Power Rectifier

文件:112.55 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MBRM110ET3G

Surface Mount Schottky Power Rectifier

文件:170.22 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MBRM110E

肖特基功率整流器,表面贴装,1.0 A,10 V

POWERMITEPower Surface Mount PackageThe Schottky Powermite employs the Schottky Barrier principle with a barrier metal and epitaxial construction that produces optimal forward voltage drop-reverse current tradeoff. The advanced packaging techniques provide for a highly efficient micro miniature, spa • Low IR Extends Battery Life\n• Low Profile - Maximum Height of 1.1 mm\n• Small Footprint - Footprint Area of 8.45 mm2\n• 150°C Operating Junction Temperature\n• Low Thermal Resistance with Direct Thermal Path of Die on Exposed Cathode Heat SinkMechanical Characteristics:\n• Powermite is JEDEC Regi;

ONSEMI

安森美半导体

MBRM110ET1G

Package:DO-216AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE

ONSEMI

安森美半导体

MBRM110ET3

Package:DO-216AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE

ONSEMI

安森美半导体

MBRM110ET3G

Package:DO-216AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Configuration:

    Single

  • VRRM Min (V):

    10

  • VF Max (V):

    0.53

  • IRM Max (µA):

    1

  • IO(rec) Max (A):

    1

  • IFSM Max (A):

    50

  • Package Type:

    POWERMITE-2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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ON/安森美
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更多MBRM110E供应商 更新时间2026-2-1 14:26:00