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MBRD660L

MBRD660L SCHOTTKY RECTIFIER

Features 125℃ TJ operation Center tap configuration Low forward voltage drop High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance High frequency operation Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability “-A” is an AEC-Q101

文件:859.41 Kbytes 页数:4 Pages

SMCDIODE

桑德斯微电子

MBRD660L

SCHOTTKY RECTIFIER

文件:136.83 Kbytes 页数:5 Pages

SMC

桑德斯微电子

MBRD660L

肖特基二极管

YUNYI

云意电气

YUNYI

MBRD660L

肖特基二极管

SMC

桑德斯微电子

MBRD660L-A

Schottky Rectifiers

SMC

桑德斯微电子

技术参数

  • Family:

    肖特基二极管

  • Package:

    DPAK

  • VRWM(V):

    60

  • IO (A):

    6

  • IFSM Max.(A):

    200

  • IR Max.@VRWM (mA):

    1

  • VF Max. (V):

    0.5

  • CT Max. (pF):

    400

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更多MBRD660L供应商 更新时间2025-11-30 14:26:00