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MUR660CT	文件：814.04 Kbytes Page：2 Pages	6AmpSuperFastGlassPassivatedRectifier50to600Volts Features •Glasspassivatedchip •Superfastswitchingtimeforhightefficiency •Lowreverseleakagecurrent •Highsurgecapacity	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MUR660CT	文件：309.51 Kbytes Page：6 Pages	ProductSpecification	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
MUR660CT	文件：60.36 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MUR660CT	文件：94.14 Kbytes Page：1 Pages	Glasspassivatedchip Features •Glasspassivatedchip •Superfastswitchingtimeforhightefficiency •Lowreverseleakagecurrent •Highsurgecapacity	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MUR660CT	文件：1.39304 Mbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECTIFIERS FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
MUR660FCT	文件：455.25 Kbytes Page：2 Pages	6AmpSuperFastGlassPassivatedRectifier50to600Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MURD660CT	文件：54.38 Kbytes Page：4 Pages	6.0ASURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDDUALSUPERFASTRECTIFIER GlassPassivatedDieConstruction IdeallySuitedforAutomaticAssembly LowProfilePackage HighSurgeCurrentCapability LowPowerLoss,HighEfficiency Super-FastRecoveryTime IdeallySuitedforUseinHighFrequency SMPS,Inverters,andAsFreeWheelingDiodes	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
MURF660CT	文件：75.84 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MURF660CT	文件：1.39948 Mbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECTIFIERS FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
NHPD660	文件：73.26 Kbytes Page：5 Pages	SwitchModePowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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技术参数

Family：
Schottky Rectifiers
Package：
DPAK
VRWM（V）：
60
IO (A)：
6
IFSM Max.(A)：
150
IR Max.@VRWM (mA)：
1
VF Max. (V)：
0.5
CT Max. (pF)：
250

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	MBRD660CTMOS(场效应管)	VISHAY/威世	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市创盛芯科技有限公司	MBRD660CTMOS(场效应管)	VISHAY/威世	24+	TO-252	2730	原装现货假一赔十	询价
深圳市木森蓝科技有限公司	MBRD660CTMOS(场效应管)	ON/安森美	24+	NA	8600	正品原装,正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
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深圳市鹏和科技有限公司	MBRD660CTPBF	VISHAY	24+	TO-252	5000	全现原装公司现货	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	MBRD660CTPBF	IRF	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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更多MBRD660CTL-A供应商更新时间2025-7-27 11:00:00

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