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MBRF30100CTP	文件：184.78 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER Features: •150℃TJoperation •Centertapconfiguration •Lowforwardvoltagedrop •Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationforenhanced mechanicalstrengthandmoistureresistance •Highfrequencyoperation •Guardringforenhancedruggednessandlongtermreliability •Th	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
MBRF30100CTP	文件：810.31 Kbytes Page：4 Pages	MBRF30100CTPSCHOTTKYRECTIFIER Features 150CTJoperation Centertapconfiguration Lowforwardvoltagedrop Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Highfrequencyoperation Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability ThisisaPb−Fre	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
MBRF30100CTR	文件：92.13 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER Features: •150℃TJoperation •Centertapconfiguration •Lowforwardvoltagedrop •Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationforenhanced mechanicalstrengthandmoistureresistance •Highfrequencyoperation •Guardringforenhancedruggednessandlongtermreliability •Thi	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
MBRF30100CTR	文件：541.69 Kbytes Page：2 Pages	30.0AmperesInsulatedDualCommonAnodeSchottkyHalfBridgeRectifiers Features ◆StandardMBRmaturedtechnologywithhighreliablity ◆Lowforwardvoltagedrop ◆Highcurrentcapability ◆Lowreverseleakagecurrent ◆Highsurgecurrentcapability Application ◆AutomotiveInvertersandSolarInverters ◆PlatingPowerSupply,SMPS,EPSandUPS ◆CarAudioAmp	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MBRF30100CTR	文件：860.67 Kbytes Page：4 Pages	MBRF30100CTRSCHOTTKYRECTIFIER Features 150CTJoperation Centertapconfiguration Lowforwardvoltagedrop Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Highfrequencyoperation Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability ThisisaPb−Fre	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
MBRF30100CT-Y	文件：233.24 Kbytes Page：4 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier FEATURES ●Lowpowerloss,highefficiency ●Guardringforovervoltageprotection ●Highsurgecurrentcapability ●RoHSCompliant ●Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 APPLICATIONS ●Switchingmodepowersupply(SMPS) ●Adapters ●DCtoDCconverters MECHANICALDATA ●Case:ITO-2	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBRI30100CT	文件：142.82 Kbytes Page：2 Pages	30.0AmpsSurfaceMountSchottkyBarrierRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBRI30100CT	文件：142.08 Kbytes Page：2 Pages	30.0AMPSSchottkyBarrierRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBRI30100CT	文件：248.35 Kbytes Page：4 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBRL30100FCT	文件：1.0699 Mbytes Page：3 Pages	SchottkyDiodes FEATURES Highfrequencyoperation Lowforwardvoltagedrop Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Guardringforenhancedruggednessandlongtermreliability Solderdip275°Cmax.7s,perJESD22-B106	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE

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技术参数

VRM_Max (V)：
100
Io_Max(A)：
30
IFSM_Max(A)：
230
Rated lo(A)：
15
VF_Max(V)：
0.85
IR@25℃IR(uA)：
0.1
IR@125℃IR(uA)：
20
Cj(PF)：
300
Tj（℃）：
-55～+175
Status：
Active

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