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MBRA340	文件：204.03 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package Employing the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity diod 文件：204.03 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRA340	文件：367.199 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODES 文件：367.199 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
MBRA340	文件：49.46 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：49.46 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRA340	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基功率整流器，表面贴装，3.0 A，40 V The Schottky Rectifier employs the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. The Schottky Rectifier's state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. It is ideally suited for low voltage, high frequency rectif • Compact Surface Mountable Package with J-Bent Leads\n• Rectangular Package for Automated Handling\n• Highly Stable Oxide Passivated Junction\n• Very Low Forward Voltage Drop\n• Guardring for Stress Protection\n• All External Surfaces are Corrosion Resistant and Terminal Leads are Readily Solderabl;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRA340T3G	文件：204.03 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package Employing the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity diod 文件：204.03 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRA340T3	文件：54.13 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package 文件：54.13 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRA340T3	文件：49.46 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：49.46 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRA340T3	文件：293.38 Kbytes Page：24 Pages	42V, 2.5A, 2MHz Step-Down Switching Regulator with 2.7關A Quiescent Current 文件：293.38 Kbytes 页数：24 Pages	LINER 凌力尔特	LINER
MBRA340T3	文件：6.3142 Mbytes Page：3 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：6.3142 Mbytes 页数：3 Pages	TAYCHIPST 泰迪斯电子	TAYCHIPST
MBRA340T3_06	文件：54.13 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package 文件：54.13 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Configuration：
Single
VRRM Min (V)：
40
VF Max (V)：
0.45
IRM Max (µA)：
300
IO(rec) Max (A)：
3
IFSM Max (A)：
100
Package Type：
SMA-2

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