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MBRA210LT3D	文件：46.67 Kbytes Page：8 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package This device employs the Schottky Barrier principle in a metal−to−silicon power rectifier. Features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switc 文件：46.67 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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MBRA210LT3G	文件：271.69 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier This device employs the Schottky Barrier principle in a metal−to−silicon power rectifier. Features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies; free wheeling diodes and polarity protection diod 文件：271.69 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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