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MBRB10100-E3/4W

High-Voltage Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum

文件:524.97 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

MBRB10100-E3/4W

肖特基二极管与整流器 10 Amp 100 Volt 150 Amp IFSM

Vishay

威世

MBRB10100-E3/4W

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

MBRF10100-E3/4W

High-Voltage Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum

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威世威世科技公司

产品属性

  • 产品编号:

    MBRB10100-E3/4W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    TMBS®

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    10A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    TO-263AB(D²PAK)

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB

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更多MBRB10100-E3/4W供应商 更新时间2025-11-29 17:46:00