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MBRB1090	文件：1.96709 Mbytes Page：4 Pages	Trench MOS Schottky technology Features •LowPowerLoss •HighEfficiency •LowForwardVoltage,HighCurrentCapability •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0 •Marking:typenumber	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBRB1090	文件：1.21653 Mbytes Page：3 Pages	Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classifications 94V-0 ThisseriesofSWITCHMODEpowerrectifiersusestheSchottkyBarrierprinciplewithaplatinumbarriermetal.Thesestate−of−the−artdeviceshavethefollowingfeatures: Features •Guard−RingforStressProtection •LowForwardVoltage •175°COperatingJunctionTemperature •EpoxyMeetsUL9	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBRB1090	文件：1.21634 Mbytes Page：3 Pages	Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classifications 94V-0 Features •LowPowerLoss •HighEfficiency •LowForwardVoltage,HighCurrentCapability •Highsurgecapacity •Case:ITO-220ACFullMoldedPlasticPackage	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBRB1090	文件：786.75 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation TYPICALAPPLICATIONS Foruseinhighfrequencyrectifierofswitchingmodepowersupplies,freewheelingdiodes,dc-to-dcc	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
MBRB1090	文件：125.77 Kbytes Page：3 Pages	High Voltage Schottky Rectifiers FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBRB1090	文件：524.97 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBRB1090	文件：141.37 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBRB1090	文件：252.37 Kbytes Page：6 Pages	Switching power supply	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
MBRB1090CT	文件：337.95 Kbytes Page：2 Pages	2SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGERANGE:30-100V CURRENT:10A FEATURES Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. Guardringforovervoltageprotection. Highsurgecapacity. Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MBRB1090-M3	文件：93.5 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof 245°C •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
MBRB1090
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
High Voltage Schottky Rectifiers

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