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MBR8H100MFS	文件：334.77 Kbytes Page：6 Pages	Switch Mode Power Rectifiers Features • Low Power Loss / High Efficiency • New Package Provides Capability of Inspection and Probe After Board Mounting • Guardring for Stress Protection • Low Forward Voltage Drop • 175°C Operating Junction Temperature • WF Suffix for Products with Wettable Flanks • NRVB Prefix for Aut 文件：334.77 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR8H100MFS	文件：67.34 Kbytes Page：4 Pages	Switch Mode Power Rectifiers 文件：67.34 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR8H100MFS_V01	文件：334.77 Kbytes Page：6 Pages	Switch Mode Power Rectifiers Features • Low Power Loss / High Efficiency • New Package Provides Capability of Inspection and Probe After Board Mounting • Guardring for Stress Protection • Low Forward Voltage Drop • 175°C Operating Junction Temperature • WF Suffix for Products with Wettable Flanks • NRVB Prefix for Aut 文件：334.77 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR8H100MFST1G	文件：334.77 Kbytes Page：6 Pages	Switch Mode Power Rectifiers Features • Low Power Loss / High Efficiency • New Package Provides Capability of Inspection and Probe After Board Mounting • Guardring for Stress Protection • Low Forward Voltage Drop • 175°C Operating Junction Temperature • WF Suffix for Products with Wettable Flanks • NRVB Prefix for Aut 文件：334.77 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR8H100MFST3G	文件：334.77 Kbytes Page：6 Pages	Switch Mode Power Rectifiers Features • Low Power Loss / High Efficiency • New Package Provides Capability of Inspection and Probe After Board Mounting • Guardring for Stress Protection • Low Forward Voltage Drop • 175°C Operating Junction Temperature • WF Suffix for Products with Wettable Flanks • NRVB Prefix for Aut 文件：334.77 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR8H100MFST1G	文件：67.34 Kbytes Page：4 Pages	Switch Mode Power Rectifiers 文件：67.34 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR8H100MFST3G	文件：67.34 Kbytes Page：4 Pages	Switch Mode Power Rectifiers 文件：67.34 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR8H100MFS	文件：300 bytes Page：1 Pages	8 A，100 V 肖特基二极管，SO-8FL 封装 8 A, 100 V Schottky Diode in SO-8FL • Low Power Loss / High Efficiency\n• New Package Provides Capability of Inspection and Probe AfterBoard Mounting\n• Guardring for Stress Protection\n• Low Forward Voltage Drop\n• 175°C Operating Junction Temperature\n• Wettable Flacks Option Available\n• NRVB Prefix for Automotive and Other Applica;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR8H100MFST1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-PowerTDFN，5 引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR8H100MFST3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-PowerTDFN，5 引线；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Configuration：
Single
VRRM Min (V)：
100
VF Max (V)：
0.9
IRM Max (µA)：
2
IO(rec) Max (A)：
8
IFSM Max (A)：
100
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市科雨电子有限公司	MBR8H100MFST3G	ON	25+	DFN-5	6675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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更多MBR8H100MFS供应商更新时间2025-11-20 11:01:00

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