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MBR830MFS	文件：300 bytes Page：1 Pages	8 A, 30 V Schottky Diode in SO-8FL; • Low Power Loss / High Efficiency\n• New Package Provides Capability of Inspection and Probe AfterBoard Mounting\n• Guardring for Stress Protection\n• Low Forward Voltage\n• 150°C Operating Junction Temperature\n• Wettable Flacks Option Available\n• NRVB Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101Qualified and PPAP Capable\n• These are Pb−Free and Halide−Free Devices\n; 8 A, 30 V Schottky Diode in SO-8FL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR830MFS	文件：64.8 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE Power Rectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR830MFST1G	文件：64.8 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE Power Rectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR830MFST3G	文件：64.8 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE Power Rectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR830MFST1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-PowerTDFN，5 引线；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 30V 8A 5DFN	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR830MFST3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-PowerTDFN，5 引线；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 30V 8A 5DFN	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Configuration：
Single
VRRM Min (V)：
30
VF Max (V)：
0.7
IRM Max (µA)：
200
IO(rec) Max (A)：
8
IFSM Max (A)：
150
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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更多MBR830MFS供应商更新时间2025-7-28 15:08:00

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