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MBR820	文件：166.26 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features The plastic package carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 Construction utilizes void-free molded plastic technique Low reverse leakage High forward surge current capability High temperature soldering guaranteed: 250 C,0.25”(6.35mm) from case for 10 seco 文件：166.26 Kbytes 页数：2 Pages	SY 顺烨电子	SY
MBR820	文件：585.95 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Reverse Voltage - 20 to 100 Volts Forward Current -8.0 Amperes FEATURES ♦ The plastic package carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 ♦ Construction utilizes void-free molded plastic technique ♦ Low reverse leakage ♦ High forward surge current capability ♦ High 文件：585.95 Kbytes 页数：2 Pages	CHENDA 辰达半导体	CHENDA
MBR820	文件：1.11675 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER FEATURES Metal-Semiconductor junction with guard ring Epitaxial construction Low forward voltage drop,low switching losses High surge capability For use in low voltage,high frequency inverters free wheeling,and polarity protection applications The plastic material carries U/L recognition 94 文件：1.11675 Mbytes 页数：2 Pages	SAMYANG 三阳电子	SAMYANG
MBR820	文件：1.41622 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER FEATURES Metal-semiconductor junction with guard ring Epitaxial construction Low forward voltage drop,low switching losses High surge capability For use in low voltage,high frequency inverters free wheeling,and polarity protection applications The plastic material carries U/L recognition 94 文件：1.41622 Mbytes 页数：2 Pages	SAMYANG 三阳电子	SAMYANG
MBR820	文件：1.40239 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER FEATURES Metal-semiconductor junction with guard ring Epitaxial construction Low forward voltage drop,low switching losses High surge capability For use in low voltage,high frequency inverters free wheeling,and polarity protection applications The plastic material carries U/L recognition 94 文件：1.40239 Mbytes 页数：2 Pages	SAMYANG 三阳电子	SAMYANG
MBR820	文件：487.18 Kbytes Page：2 Pages	丝印：MDDMBR820；Package：TO-220AC；SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：487.18 Kbytes 页数：2 Pages	CHENDA 辰达半导体	CHENDA
MBR820	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基二极管	YJ 益嘉源	YJ
MBR820_V01	文件：1.41622 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER FEATURES Metal-semiconductor junction with guard ring Epitaxial construction Low forward voltage drop,low switching losses High surge capability For use in low voltage,high frequency inverters free wheeling,and polarity protection applications The plastic material carries U/L recognition 94 文件：1.41622 Mbytes 页数：2 Pages	SAMYANG 三阳电子	SAMYANG
MBR820_V02	文件：1.40239 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER FEATURES Metal-semiconductor junction with guard ring Epitaxial construction Low forward voltage drop,low switching losses High surge capability For use in low voltage,high frequency inverters free wheeling,and polarity protection applications The plastic material carries U/L recognition 94 文件：1.40239 Mbytes 页数：2 Pages	SAMYANG 三阳电子	SAMYANG
MBR820_V03	文件：1.4383 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER FEATURES Metal-semiconductor junction with guard ring Epitaxial construction Low forward voltage drop,low switching losses High surge capability For use in low voltage,high frequency inverters free wheeling,and polarity protection applications The plastic material carries U/L recognition 94 文件：1.4383 Mbytes 页数：2 Pages	SAMYANG 三阳电子	SAMYANG

技术参数

VRM (V)：
20
lO (A)：
8
IFSM (A)：
150
Rated lo(A)：
8
VF (V)：
0.65
IR@25℃(mA)：
0.2
IR@100℃(mA)：
50
Typical Thermal Resistance (℃/W)：
2
CJ (PF)：
300
TJ（℃）：
-55～+125

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MBR820		24+		20000		询价
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更多MBR820供应商更新时间2025-10-3 16:01:00

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