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MBR6045PT-G	文件：80.3 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Rectifier ReverseVoltage:30to100V ForwardCurrent:60.0A RoHSDevice Features -Guardringforovervoltageprotection. -Lowpowerloss,highefficiency. -Lowreverseleakagecurrent. -HighSurgeCurrentCapability.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
MBR6045R	文件：807.46 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBR6045R	文件：81.79 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKYDIODESSTUDTYPE60A	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MBR6045R	文件：122.18 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESSTUDTYPE60A	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
MBR6045R	文件：123.16 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerDiode,60A Features •FastSwitching •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Highefficiency,lowpowerloss •NormalandReversepolarity	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MBR6045ST	文件：51.52 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to100Volts CURRENT60Amperes FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O. FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowpowerloss,highefficiency. •Highcur	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MBR6045WT	文件：734.29 Kbytes Page：2 Pages	60AmpSchottkyBarrierRectifier45Volts Features •HighSurgeCapacity •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighCurrentCapability,LowVF •MetalofsiliconRectifier,majorityCarrierConduction •GuardRingForTransientProtection •PlasticPackageHasULFlammabilityClassification94V-0	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MBR6045WT	文件：56.62 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYRECIFIER DESCRIPTION TheMBR6045WTcentertapSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Theproprietarybarriertechnologyallowsforreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters	IRF International Rectifier	IRF
MBR6045WT	文件：73.16 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE??PowerRectifier SWITCHMODE™PowerRectifier TheSWITCHMODEpowerrectifieremploystheuseoftheSchottkyBarrierprinciplewithaPlatinumbarriermetal.Thisstate-of-the-artdevicehasthefollowingfeatures: •DualDiodeConstruction—Terminals1and3MayBeConnectedforParallelOperationatFullRatin	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MBR6045WT	文件：116.27 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyRectifier,2x30A DESCRIPTION TheMBR6045WTcentertapSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Theproprietarybarriertechnologyallowsforreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converte	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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