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MBR60040CTR

HIGH POWER -SCHOTTKY RECTIFIERS

SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 600A Features • High Surge Capability • Types Up to 45V VRRM

文件:593.59 Kbytes 页数:2 Pages

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

MBR60040CTR

SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 600A

SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 600A Features High Surge Capability Types Up to 45V VRRM

文件:132.33 Kbytes 页数:2 Pages

TEL

东电电子

MBR60040CTR

High Surge Capability

Silicon Power Schottky Diode Features • High Surge Capability ​​​​​​​• Types from 20 V to 40 V VRRM • Not ESD Sensitive

文件:466.12 Kbytes 页数:3 Pages

GENESIC

MBR60040CTR

Silicon Power Schottky Diode

文件:718.88 Kbytes 页数:3 Pages

GENESIC

MBR60040CTR

High Surge Capability

文件:446.91 Kbytes 页数:3 Pages

GENESIC

MBR60040CTR

Package:双塔架;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER

GENESIC

MBR60040CTRL

Schottky Rectifiers

Navitas

纳微半导体

MBR60040CTRL

Package:双塔架;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE SCHOTTKY 40V 300A 2 TOWER

GENESIC

产品属性

  • 产品编号:

    MBR60040CTR

  • 制造商:

    GeneSiC Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 包装:

    管件

  • 二极管配置:

    1 对共阳极

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    300A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    双塔架

  • 供应商器件封装:

    双塔架

  • 描述:

    DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
GeneSiC
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22+
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5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
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更多MBR60040CTR供应商 更新时间2025-10-9 10:19:00