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MBR60040CTR	文件：593.59 Kbytes Page：2 Pages	HIGH POWER -SCHOTTKY RECTIFIERS SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 600A Features • High Surge Capability • Types Up to 45V VRRM 文件：593.59 Kbytes 页数：2 Pages	AMERICASEMI	AMERICASEMI
MBR60040CTR	文件：132.33 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 600A SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 600A Features High Surge Capability Types Up to 45V VRRM 文件：132.33 Kbytes 页数：2 Pages	TEL	TEL
MBR60040CTR	文件：466.12 Kbytes Page：3 Pages	High Surge Capability Silicon Power Schottky Diode Features • High Surge Capability • Types from 20 V to 40 V VRRM • Not ESD Sensitive 文件：466.12 Kbytes 页数：3 Pages	GENESIC	GENESIC
MBR60040CTR	文件：718.88 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Power Schottky Diode 文件：718.88 Kbytes 页数：3 Pages	GENESIC	GENESIC
MBR60040CTR	文件：446.91 Kbytes Page：3 Pages	High Surge Capability 文件：446.91 Kbytes 页数：3 Pages	GENESIC	GENESIC
MBR60040CTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：双塔架；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER	GeneSiC Semiconductor	GeneSiC Semiconductor
MBR60040CTRL	文件：300 bytes Page：1 Pages	Schottky Rectifiers	Navitas 纳微半导体	Navitas
MBR60040CTRL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：双塔架；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 40V 300A 2 TOWER	GeneSiC Semiconductor	GeneSiC Semiconductor

产品属性

产品编号：
MBR60040CTR
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
管件
二极管配置：
1 对共阳极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
300A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
双塔架
供应商器件封装：
双塔架
描述：
DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER

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