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MBR600200CTR	文件：508.79 Kbytes Page：3 Pages	High Surge Capability	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBR600200CTR	文件：718.36 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Power Schottky Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBR600200CTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：双塔架类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER	GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor	GeneSiC Semiconductor
CPT600200	文件：159.98 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYPOWERMOD	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
CPT600200	文件：122.08 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerMod	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MBR600200CT	文件：718.36 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBRF600200	文件：479.15 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
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MBRT600200R	文件：798.22 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBRT600200R	文件：468.74 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBRTA600200	文件：323.08 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBRTA600200R	文件：323.08 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC

产品属性

产品编号：
MBR600200CTR
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
散装
二极管配置：
1 对共阳极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
300A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
双塔架
供应商器件封装：
双塔架
描述：
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

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