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MBR40035CTR	文件：325.14 Kbytes Page：2 Pages	HIGH POWER -SCHOTTKY RECTIFIERS Features •HighSurgeCapability •TypesUpto100VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC
MBR40035CTR	文件：133.24 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 400A SCHOTTKYDIODESMODULETYPE400A Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM	TEL TRANSYS Electronics Limited
MBR40035CTR	文件：428.11 Kbytes Page：3 Pages	High Surge Capability	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
MBR40035CTR	文件：698.12 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Power Schottky Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
MBR40035CTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：双塔架类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER	GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
MBR40035CTRL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：双塔架类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 35V 200A 2 TOWER	GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
CGH40035	文件：3.91088 Mbytes Page：14 Pages	35W,DC-4GHz,RFPowerGaNHEMT Description Wolfspeed'sCGH40035Fisanunmatched,galliumnitride (GaN)highelectronmobilitytransistor(HEMT).The CGH40035F,operatingfroma28voltrail,offersageneral purpose,broadbandsolutiontoavarietyofRFandmicrowave applications.GaNHEMTsofferhighefficiency,highga	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.
CGH40035F	文件：1.3757 Mbytes Page：14 Pages	35W,RFPowerGaNHEMT	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商
CGH40035F-AMP	文件：1.3757 Mbytes Page：14 Pages	35W,RFPowerGaNHEMT	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商
CGH40035F-TB	文件：1.3757 Mbytes Page：14 Pages	35W,RFPowerGaNHEMT	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商
CPT40035	文件：149.69 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerMod ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●400Amperes/30to50Volts ●175°CJunctionTemperature ●ReverseEnergyTested ●ROHSCompliant	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
CPT40035	文件：163.59 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYPOWERMOD ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●400Amperes/30to50Volts ●175°CJunctionTemperature ●ReverseEnergyTested ●ROHSCompliant	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
CPT40035	文件：171.73 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerMod ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●400Amperes/30to50Volts ●175°CJunctionTemperature ●ReverseEnergyTested ●ROHSCompliant	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
CPT40035	文件：123.5 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerMod	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
MBR40035CT	文件：132.73 Kbytes Page：3 Pages	400AmpRectifier20to100VoltsSchottkyBarrier Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
MBR40035CT	文件：123.5 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerMod	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
MBR40035CT	文件：133.24 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE400A SCHOTTKYDIODESMODULETYPE400A Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM	TEL TRANSYS Electronics Limited
MBR40035CT	文件：163.59 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYPOWERMOD ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●400Amperes/30to50Volts ●175°CJunctionTemperature ●ReverseEnergyTested ●ROHSCompliant	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
MBR40035CT	文件：136.14 Kbytes Page：2 Pages	SiliconSchottkyDiode,400A Features •GuardRingProtection •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •Upto100VVRRM	NAINA Naina Semiconductor ltd.
MBR40035CT	文件：325.14 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SCHOTTKYRECTIFIERS Features •HighSurgeCapability •TypesUpto100VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC

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产品属性

产品编号：
MBR40035CTR
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
散装
二极管配置：
1 对共阳极
二极管类型：
肖特基，反极性
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
200A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
双塔架
供应商器件封装：
双塔架
描述：
DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市博浩通科技有限公司	MBR40035CTR	GeneSiCSemiconductor	23+	DIODEMODULE35V400A	1740	专业代理销售半导体模块,能提供更多数量	询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	MBR40035CTR	GeneSiC	1935+	N/A	55	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
深圳市科雨电子有限公司	MBR40035CTR	GENESIC	1809+	双塔架	96	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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更多MBR40035CTR供应商更新时间2024-4-28 10:28:00

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